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[时间：2019-07-26 11:47:24] [点击：8707] [分类：公司新闻]
迄今为止所知材料中，氟化镁晶体是真空紫外波段透光性能最好的材料之一。氟化镁晶体从真空紫外到红外段都有着良好的透过性，是一种常用的红外、紫外探测器窗口材料。随着大功率激光技术、高精度成像技术、红外制导技术以及半导体光刻技术的迅猛发展，市场对氟化镁的需求与日剧增，特别是高质量单晶体在可以预见的一段时间内都处于供不应求的状态。
与氟化镁多晶相比，单晶在紫外区域具有更高的透过率，此外单晶材料在物理性能上优于多晶材料，具有很高的机械强度，以及抗热冲击强、不易沿晶界开裂等优点。
氟化镁在高温时易发生氧化或水解反应，生成氧化镁杂质，氧化镁熔点较高，不易挥发，残留在生长体系中的氧化镁会导致晶体过滤降低，并造成晶体内部产生散射颗粒等缺陷，因此在整个晶体生长过程中必须避免氧气及水汽存在。在氟化镁原料中需要加入一定质量百分比的除氧剂，这样不仅能有效除去原料和晶体炉内的水分，还可以进一步氟化原料，避免氟化镁晶料水解或氧化。
氟化镁的蒸汽压较高，原料在提拉法生长的敝开体系中易挥发，因此晶体生长过程需在正压条件下进行。首先将晶体生长炉内抽至真空，然后充入高纯氩气至微正压，待气体均匀后将氩气抽出，从而将炉内的水分和氧气等杂质排除。该过程重复进行，直到晶体炉内达到真空状态，开始升温至氟化镁烧结料熔化。
与氟化镁多晶相比，单晶在紫外区域具有更高的透过率，此外单晶材料在物理性能上优于多晶材料，具有很高的机械强度，以及抗热冲击强、不易沿晶界开裂等优点。
氟化镁在高温时易发生氧化或水解反应，生成氧化镁杂质，氧化镁熔点较高，不易挥发，残留在生长体系中的氧化镁会导致晶体过滤降低，并造成晶体内部产生散射颗粒等缺陷，因此在整个晶体生长过程中必须避免氧气及水汽存在。在氟化镁原料中需要加入一定质量百分比的除氧剂，这样不仅能有效除去原料和晶体炉内的水分，还可以进一步氟化原料，避免氟化镁晶料水解或氧化。
氟化镁的蒸汽压较高，原料在提拉法生长的敝开体系中易挥发，因此晶体生长过程需在正压条件下进行。首先将晶体生长炉内抽至真空，然后充入高纯氩气至微正压，待气体均匀后将氩气抽出，从而将炉内的水分和氧气等杂质排除。该过程重复进行，直到晶体炉内达到真空状态，开始升温至氟化镁烧结料熔化。